肖特基金属功函数（肖特基公式）

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如果要考虑形成欧姆接触，就要降低两种接触材料的功函数差（或降低其费米能级的差）。这样才能降低他们的接触势垒的高度，使其向欧姆接触的方向靠近。

欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带底。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。

欧姆的研究工作是在十分困难的条件下进行的。他不仅要忙于教学工作，而且图书资料和仪器都很缺乏，他只能利用业余时间，自己动手设计和制造仪器来进行有关的实验。1826年，欧姆发现了电学上的一个重要定律——欧姆定律，这是他最大的贡献。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

题主是否想询问“肖特基势垒高度是什么”？金属与半导体接触处形成的电势差。

.5伏左右。肖特基势垒高度是指金属与半导体接触处形成的电势差的大小，通常为0.5伏左右，具体数值还与材料有关。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体结，适合用于二极管。肖特基势垒与PN结最大的区别是其典型的低结电压，减小金属的(几乎不存在)耗尽区宽度。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

.5伏左右。肖特基势垒高度是指金属与半导体接触处形成的电势差的大小，通常为0.5伏左右，具体数值还与材料有关。

此外，异质结、肖特基势垒等也可以得到较好的光电转换效率。本节以最普通的硅pn结太阳电池为例，详细地观察光能转换成电能的情况。首先研究使太阳电池工作时，在外部观测到的特性。

肖特基二极管是以金属为正极，N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒，从而具有整流特性的金属-半导体器件。因此它不是P-N结，而是金属-N结。

界面电荷是否转移。当金属和半导体接触时，电子会从金属流向半导体，形成肖特基势垒，这是因金属的费米能级高于半导体的导带带底，电子会自发地从高能级流向低能级。

这样就在接触面形成了电子的势垒，称为肖特基势垒(schottky barrier)。形成整流节(rectifying junction)。肖特基二极管就是利用该原理工作的。

.5伏左右。肖特基势垒高度是指金属与半导体接触处形成的电势差的大小，通常为0.5伏左右，具体数值还与材料有关。

而是金属-N结。由于金属导体内部有大量的导电电子，使得金属的费米能级低于半导体的费米能级，所以当金属与半导体接触时，形成的势垒高度低于PN结势垒高度，势垒高度低的外在表现为正向导通压降小，因而损耗小。

当表面态浓度状态足够大时会出现箝位现象，即势垒高度完全有表面态浓度决定，无论形成肖特基二极管是何种金属都不会改变势垒高度。通过这种技术可以有效自由地控制肖特基二极管的势垒高度，在微电子甚至纳电子领域都有所影响。

形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。